9月28日，由本市承擔(dān)的國(guó)家“十五”863計(jì)劃集成電路制造裝備重大專項(xiàng)———100納米刻蝕機(jī)與離子注入機(jī)的攻關(guān)項(xiàng)目，順利通過國(guó)家科技部的驗(yàn)收。同時(shí)，其研發(fā)生產(chǎn)方北京北方微電子公司和北京中科信公司，分別與世界知名代工廠簽訂了價(jià)值超過1億元人民幣的采購大單。
刻蝕機(jī)和離子注入機(jī)是生產(chǎn)高端集成電路的重要裝備?！?00納米”指由半導(dǎo)體硅材料所制成的芯片上線寬的單位，線寬越小，集成電路芯片單位面積上集成晶體管個(gè)數(shù)會(huì)越多，芯片的集成度和運(yùn)行速度則越快。就好比汽車發(fā)動(dòng)機(jī)氣缸越多，馬力就越大。
這是我國(guó)國(guó)產(chǎn)主流集成電路制造專用核心設(shè)備首次實(shí)現(xiàn)批量銷售，標(biāo)志著我國(guó)集成電路制造核心裝備研發(fā)取得了重大突破。“這意味著我國(guó)在芯片裝備制造領(lǐng)域?qū)⒏斓財(cái)[脫對(duì)國(guó)外產(chǎn)品的依賴，一旦我國(guó)有了自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的先進(jìn)產(chǎn)品，就不用花高價(jià)購買國(guó)外的芯片制造設(shè)備?！笔姓I(yè)促進(jìn)局電子信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展處處長(zhǎng)梁勝告訴記者。
據(jù)梁勝透露，投資一條12英寸年產(chǎn)2萬片的芯片制造生產(chǎn)線要10億美元，其中包括刻蝕機(jī)與離子注入機(jī)及其他裝備設(shè)備要投資的80%，即8億美元。如果能用上國(guó)產(chǎn)裝備，總投資將減少1/3。再加上省去的每年設(shè)備折舊費(fèi)用以及銀行貸款利息，可以大幅度降低芯片產(chǎn)品的成本。
梁勝說，“九五”末期，我國(guó)集成電路裝備的水平只有6英寸0.5微米，與當(dāng)時(shí)國(guó)外領(lǐng)先的生產(chǎn)水平相差5個(gè)技術(shù)代，國(guó)內(nèi)8英寸以上生產(chǎn)線沒有一臺(tái)國(guó)產(chǎn)設(shè)備。而很多國(guó)外企業(yè)賣給我國(guó)的一些芯片制造裝備，毛利都在100%以上。2005年，我國(guó)芯片產(chǎn)品進(jìn)口額達(dá)到780億美元，比同期石油進(jìn)口額還多出280億美元。
“集成電路制造的核心裝備主要包括七項(xiàng)，這次研發(fā)成功的100納米高密度等離子刻蝕機(jī)與大角度離子注入機(jī)是其中的兩項(xiàng)，它們的研發(fā)成功將有助于扭轉(zhuǎn)我國(guó)集成電路制造裝備長(zhǎng)期依賴進(jìn)口的局面?！笨萍疾坑嘘P(guān)負(fù)責(zé)人如是說。
據(jù)悉，這兩種設(shè)備的研制成功，實(shí)現(xiàn)了我國(guó)高端集成電路核心設(shè)備零的突破，技術(shù)水平跨越5代。我國(guó)科技人員僅用3年多的時(shí)間就走完了發(fā)達(dá)國(guó)家走了10年的路，并首次實(shí)現(xiàn)了高端集成電路裝備的“中國(guó)創(chuàng)造”，為今年北京高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)發(fā)展做出值得驕傲的貢獻(xiàn)。
更重要的是，這兩種設(shè)備的技術(shù)水平基本與我國(guó)集成電路制造業(yè)主流技術(shù)水平更新同步。未來兩到三年我國(guó)集成電路制造業(yè)從180納米向130和90納米升級(jí)時(shí)，可以使用上國(guó)產(chǎn)裝備。這對(duì)我國(guó)集成電路制造業(yè)在裝備上擺脫受制于人的局面，建立自主創(chuàng)新能力和核心競(jìng)爭(zhēng)力具有重要的戰(zhàn)略意義。
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