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2013年04月19日11:43 | 中國發(fā)展門戶網(wǎng) www.chinagate.cn | 給編輯寫信 字號：T|T

3.微電子與光電子技術

3.1 14納米以下技術代硅基新型器件及關鍵工藝技術研究

本研究內(nèi)容下設1個研究方向。

3.1.1 14納米以下技術代硅基新型器件及關鍵工藝技術研究（國撥經(jīng)費限3000萬元、企業(yè)牽頭申報，實施年限3年）

以突破14納米以下尺度器件的功耗瓶頸為目標，在新結(jié)構、新原理、新材料和新工藝研究的基礎上，提出新器件實現(xiàn)方案并開展相關工藝技術研究，探索新器件與電路之間的協(xié)同設計方法，為我國集成電路技術的可持續(xù)發(fā)展提供具有自主知識產(chǎn)權的解決方案。

3.2高效能近閾值集成電路關鍵技術研究

本研究內(nèi)容下設1個研究方向。

3.2.1高效能近閾值集成電路關鍵技術研究（國撥經(jīng)費限2500萬元，實施年限3年）

突破近閾值集成電路器件模型、可靠性、電路設計和容錯設計等關鍵技術，器件、電路設計、設計工具環(huán)境、SoC芯片原型及演示系統(tǒng)四個層次的研究內(nèi)容：研究寬電壓、高精度器件模型、時序偏差容忍電路設計方法和高效能電路架構，開發(fā)近閾值電路單元庫及配套設計工具環(huán)境，設計一款高性能、高效能SoC芯片原型及其應用演示系統(tǒng)，在保證SoC峰值性能的前提下，應用場景效能比提高一倍以上。

3.3移動智能終端大容量存儲關鍵技術研究

面向移動互聯(lián)網(wǎng)智能終端大容量存儲的產(chǎn)品和技術需求，突破全兼容可配置存儲控制技術，基于先進工藝NAND FLASH的高性能存儲控制技術和大容量固態(tài)硬盤（SSD）設計技術，開發(fā)移動智能終端SoC存儲控制器IP核、高性能存儲控制芯片和大容量SSD，并實現(xiàn)示范應用。下設3個研究方向。

3.3.1移動智能終端SoC存儲控制器IP核關鍵技術研究（國撥經(jīng)費限600萬元，實施年限3年）

針對移動智能終端SoC芯片存儲控制IP核高性能、兼容性和可靠性的技術需求，突破全兼容可配置的校驗糾錯算法、塊管理算法和文件管理技術，研究高吞吐率緩存電路設計和數(shù)據(jù)可靠存儲技術，開發(fā)一款支持多種工藝節(jié)點NAND FLASH、支持ONFI 3.0接口的控制器IP核，集成到SoC芯片驗證，形成演示系統(tǒng)。

3.3.2移動智能終端的高性能存儲控制芯片關鍵技術研究（國撥經(jīng)費限800萬元，實施年限3年）

針對移動智能終端產(chǎn)品對高性能、長壽命和低成本大容量存儲的技術需求，突破TLC NAND FLASH帶來的高速數(shù)據(jù)傳輸、可靠數(shù)據(jù)存儲和長壽命使用等技術難點，研究數(shù)據(jù)校驗糾錯算法、塊管理算法和高速傳輸架構，設計一款支持ONFI 3.0接口和eMMC接口、128GB NAND FLASH的控制器芯片，實現(xiàn)移動智能終端產(chǎn)品解決方案。

3.3.3面向移動智能終端應用的大容量固態(tài)硬盤關鍵技術研究（國撥經(jīng)費限800萬元，企業(yè)牽頭申報，實施年限3年）

針對移動智能終端對外接高速、大容量固態(tài)硬盤產(chǎn)品的技術需求，突破高性能、高帶寬固態(tài)硬盤控制技術，多片F(xiàn)LASH組織和USB高速接口技術，研究固態(tài)硬盤SSD控制芯片的校驗糾錯算法、多片F(xiàn)LASH管理算法、文件系統(tǒng)和高速傳輸架構，設計一款支持512GB NAND FLASH，支持ONFI 3.0接口和USB 3.0接口的SSD控制芯片，實現(xiàn)SSD系統(tǒng)原型和應用演示。

3.4新一代移動通信基站氮化鎵射頻功率放大器

本研究內(nèi)容下設1個研究方向。

3.4.1新一代移動通信基站氮化鎵射頻功率放大器（國撥經(jīng)費限2000萬元，實施年限3年）

研究具有自主知識產(chǎn)權的基于SiC（碳化硅）襯底的GaN（氮化鎵）功放器件及模塊，針對LTE-Advance系統(tǒng)的應用，GaN（氮化鎵）功放相比傳統(tǒng)的LDMOS功放具有更大的帶寬、更高的效率及更小的體積等諸多優(yōu)點，將替代目前的Si LDMOS管成為無線基站射頻功放的主流功率放大器件。并完成在帶寬100MHz以上的LTE系統(tǒng)中的應用驗證。

3.5寬帶模擬通信用光收發(fā)陣列芯片與模塊

為滿足4G移動通信中寬頻帶傳輸和低功耗無線接入的重大需求，研究高線性直接調(diào)制激光器陣列芯片、高頻大功率光探測器陣列芯片、陣列芯片模塊化耦合封裝、多制式寬頻帶光載無線傳輸與分配等關鍵技術，并進行系統(tǒng)示范應用，填補國內(nèi)高線性模擬通信光收發(fā)模塊的空白。下設2個研究方向。

3.5.1高線性激光器和光探測器陣列芯片（國撥經(jīng)費限1100 萬元，實施年限3年）

針對光載無線（RoF）組網(wǎng)技術對激光器和光探測器的要求，研制出模擬通信激光器陣列芯片，研制1310nm波段4通道模擬通信激光器陣列芯片和大功率光探測器陣列芯片，高頻響應覆蓋X波段以下頻率范圍，激光器單信道出纖光功率大于6dBm、光探測器飽和光功率大于5dBm。

3.5.2寬頻帶光收發(fā)模塊與系統(tǒng)驗證（國撥經(jīng)費限1100萬元，實施年限3年）

針對光載無線（RoF）組網(wǎng)技術對光發(fā)射機和光接收機的要求，研究大動態(tài)直接調(diào)制激光器和探測器集成芯片的微波封裝技術，研制傳輸帶寬大于10GHz的4通道模擬通信光收發(fā)模塊，傳輸距離大于10km，并完成系統(tǒng)實驗驗證。

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