三、“十一五”發(fā)展思路和目標(biāo)
（一）發(fā)展思路
“十一五”期間，繼續(xù)鞏固我國在傳統(tǒng)元器件和部分電子材料領(lǐng)域的優(yōu)勢，進(jìn)一步推進(jìn)產(chǎn)品結(jié)構(gòu)調(diào)整和技術(shù)升級。堅(jiān)持跟蹤與突破相結(jié)合、引進(jìn)與創(chuàng)新相結(jié)合，有所為有所不為，集中力量，重點(diǎn)突破量大面廣新型元器件、新型顯示器件、關(guān)鍵電子材料，形成一批擁有自主知識產(chǎn)權(quán)和國際競爭力的優(yōu)勢企業(yè)。
新型元器件產(chǎn)業(yè)：以片式化、微型化、集成化、高性能化、無害化為目標(biāo)，突破關(guān)鍵技術(shù)，調(diào)整產(chǎn)品結(jié)構(gòu)；促進(jìn)產(chǎn)業(yè)鏈上下游互動(dòng)發(fā)展，著力培育骨干企業(yè)，推動(dòng)產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)升級。
新型顯示器件產(chǎn)業(yè)：面向數(shù)字化、高清晰化、平板化需求，優(yōu)先發(fā)展TFT-LCD和PDP，促進(jìn)產(chǎn)業(yè)鏈垂直整合，擴(kuò)大產(chǎn)業(yè)規(guī)模，培育自主創(chuàng)新能力；重點(diǎn)支持新一代平板顯示器件和投影器件的工藝和生產(chǎn)技術(shù)開發(fā)，力爭實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化；加快傳統(tǒng)彩管產(chǎn)業(yè)戰(zhàn)略轉(zhuǎn)型，積極發(fā)展高清晰度、短管頸等高端產(chǎn)品。
電子材料產(chǎn)業(yè)：加強(qiáng)國際合作，推動(dòng)產(chǎn)用結(jié)合，突破部分關(guān)鍵技術(shù)，縮小電子材料與國外先進(jìn)水平的差距。重點(diǎn)發(fā)展技術(shù)含量高、市場前景好的電子信息材料，提高國內(nèi)自主配套能力；注重環(huán)保型電子材料的開發(fā)。
（二）發(fā)展目標(biāo)
到2010年，我國電子元器件總產(chǎn)量達(dá)到1.8萬億只，電子材料和元器件銷售收入力爭達(dá)到2.5萬億元，工業(yè)增加值達(dá)到6000億元，出口創(chuàng)匯600億美元。培育2-3家銷售收入超過500億元，10家以上銷售收入100億元的電子元器件企業(yè)。
新型元器件產(chǎn)業(yè)：到2010年，銷售收入1.8萬億元，阻容感片式化率達(dá)到90%。電子元器件國際市場占有率達(dá)到30%，國內(nèi)市場占有率達(dá)到50%。電子元件百強(qiáng)企業(yè)的銷售收入占元件全行業(yè)的40%以上。
新型顯示器件產(chǎn)業(yè)：到2010年，建立較為完備的新型顯示器件生產(chǎn)體系，產(chǎn)業(yè)鏈基本齊全，新型顯示器件產(chǎn)業(yè)達(dá)到規(guī)模2500億元，有較強(qiáng)的國際競爭力。建立以企業(yè)為主體，產(chǎn)學(xué)研相結(jié)合的創(chuàng)新體系，形成可持續(xù)發(fā)展能力。逐步提高國產(chǎn)化水平，實(shí)現(xiàn)中、高檔產(chǎn)品滿足國內(nèi)市場需求的50%以上，中、低檔產(chǎn)品基本滿足國內(nèi)市場的需求。
電子材料產(chǎn)業(yè)：“十一五”期間，我國電子材料產(chǎn)業(yè)規(guī)模力爭達(dá)到1000億元，國內(nèi)平均自我配套能力在30%以上，培育若干名牌產(chǎn)品和重點(diǎn)企業(yè)，主要電子信息材料的技術(shù)水平和產(chǎn)品性能與當(dāng)時(shí)的國際水平相當(dāng)。并形成相應(yīng)的產(chǎn)業(yè)規(guī)模。
四、發(fā)展重點(diǎn)
（一）電子元器件產(chǎn)業(yè)（不含集成電路和顯示器件）
1、片式元器件
積極跟蹤市場發(fā)展動(dòng)態(tài)，加大研發(fā)力度，進(jìn)一步提高片式化率，大力發(fā)展片式元器件，促進(jìn)產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)調(diào)整。重點(diǎn)發(fā)展超小型片式多層陶瓷電容器、片式鋁電解電容器、片式鉭電容器、片式電感器、片式二、三極管、片式壓電陶瓷頻率器件、片式壓電石英晶體器件、集成無源元件等產(chǎn)品。依托現(xiàn)有基礎(chǔ)，加大新產(chǎn)品開發(fā)力度，大力發(fā)展微波介質(zhì)器件、聲表面波(SAW)器件、高頻壓電陶瓷器件、石英晶體器件、抗電磁干擾(EMT/EMP)濾波器等產(chǎn)品，滿足我國通信和視聽產(chǎn)品的研發(fā)和生產(chǎn)需求。
2、印刷電路板
加大投入，面向新一代移動(dòng)通信市場，重點(diǎn)研發(fā)高密度互連多層印刷電路板(HDI)、多層撓性板(FPC)和剛撓印刷電路板(R-FPC)、IC封裝載板、特種印刷電路板(背板、高頻微波板、金屬基板和厚銅箔板、埋置元件板、光電印制板和納米材料的印刷電路板)等國內(nèi)緊缺、需大量進(jìn)口的產(chǎn)品，并盡快實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化，替代進(jìn)口，促進(jìn)產(chǎn)品結(jié)構(gòu)調(diào)整，盡快實(shí)現(xiàn)由大到強(qiáng)轉(zhuǎn)變；順應(yīng)綠色化潮流，加大環(huán)保工藝技術(shù)的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化。
3、混合集成電路
加快混合集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展，集中力量，加大投入，提高引進(jìn)吸收再創(chuàng)新能力，重點(diǎn)突破通信、汽車、醫(yī)療等用途的混合集成電路，逐步替代進(jìn)口，盡快實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)起步。
4、傳感器及敏感元器件
進(jìn)一步加大投資力度，擴(kuò)大產(chǎn)業(yè)規(guī)模；加強(qiáng)市場開拓，擴(kuò)大出口；加大研發(fā)力度，提高產(chǎn)品技術(shù)含量，增強(qiáng)競爭力。“十一五”期間，重點(diǎn)發(fā)展高精度和高可靠性汽車傳感器，環(huán)境安全檢測傳感器，新型電壓敏、熱敏、氣敏等敏感元器件，光纖傳感器，MEMS傳感器等。
5、綠色電池
大力發(fā)展綠色電池產(chǎn)業(yè)。依托現(xiàn)有產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)，繼續(xù)支持發(fā)展大容量、高可靠性鋰離子電池和聚合物鋰離子電池，擴(kuò)大產(chǎn)業(yè)規(guī)模，積極開拓國際市場；重點(diǎn)開發(fā)再生能源體系用低成本高效率太陽能電池(含薄膜太陽能電池)；密切關(guān)注燃料電池發(fā)展動(dòng)態(tài)，繼續(xù)加大燃料電池研發(fā)力度；積極開發(fā)鎳氫動(dòng)力電池與鋰離子動(dòng)力電池，力爭實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化。
6、新型半導(dǎo)體分立器件
緊緊抓住傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)改造和電力系統(tǒng)改造的機(jī)遇，進(jìn)一步加大科技投入，提高技術(shù)水平，大力發(fā)展新型半導(dǎo)體分立器件，重點(diǎn)發(fā)展半導(dǎo)體電力電子器件，包括縱向雙擴(kuò)散型場效應(yīng)管VDMOS，絕緣柵雙極型晶體管IGBT，靜電感應(yīng)晶體管系列SIT、BSIT、SITH，柵控晶閘管MCT，巨型雙極晶體管GTR等。
7、新型機(jī)電組件
“十一五”期間，在繼續(xù)保持中低檔產(chǎn)品優(yōu)勢的同時(shí)，鼓勵(lì)企業(yè)加大研發(fā)力度，重點(diǎn)研發(fā)無刷智能的微特電機(jī)，小型化、高密度、高頻化、抗干擾多功能新型接插件，微型化、智能化的高性能繼電器，大容量、寬頻帶的通訊、數(shù)據(jù)、電視、射頻電纜，薄微型、高靈敏、寬頻帶、高保真電聲器件，微波元件和組件（修改），新型低衰減、高帶寬、大容量光纖光纜等產(chǎn)品。
8、光通信器件
積極跟蹤世界技術(shù)發(fā)展前沿，面向新一代移動(dòng)通信、下一代互聯(lián)網(wǎng)的重大應(yīng)用，重點(diǎn)發(fā)展高速光收/發(fā)模塊、光電耦合器、光有源器件、光電交換器件，以及光無源器件和MEMS光開關(guān)等器件。
9、高亮度發(fā)光二極管
積極調(diào)整產(chǎn)品結(jié)構(gòu)，重點(diǎn)研發(fā)四元系高亮度紅、橙、黃發(fā)光二極管，藍(lán)色、綠色、紫色、近紫外GaN、SiC發(fā)光二極管，并盡快實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化，基本實(shí)現(xiàn)從外延片、芯片制造、后工序封裝及應(yīng)用的完整產(chǎn)業(yè)鏈。
（二）新型顯示器件
1、TFT-LCD顯示器件
支持有自主知識產(chǎn)權(quán)和產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)的優(yōu)勢企業(yè)，促進(jìn)研究開發(fā)和產(chǎn)業(yè)化的有機(jī)結(jié)合，著力提高自主創(chuàng)新能力。引導(dǎo)和鼓勵(lì)企業(yè)間的合作，加快建立國內(nèi)彩電整機(jī)和顯示器件企業(yè)間的合作機(jī)制，加大共性技術(shù)研發(fā)投入力度，提高我國平板電視的全球競爭力。重點(diǎn)建設(shè)液晶生產(chǎn)工藝技術(shù)開發(fā)中心、液晶模塊技術(shù)工程中心和PDP工藝技術(shù)開發(fā)中心，支持建設(shè)第六代及其以上的TFT-LCD面板生產(chǎn)線，加快國內(nèi)關(guān)鍵配套件的開發(fā)與產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程，力爭在TFT-LCD用彩色濾光片、基板玻璃、偏光片、新型背光源、部分生產(chǎn)設(shè)備以及材料上取得突破；逐步完善產(chǎn)業(yè)鏈，提高平板顯示器件的自主發(fā)展能力。
2、PDP顯示器件
通過技術(shù)引進(jìn)和自主開發(fā)相結(jié)合，重點(diǎn)發(fā)展42″以上PDP顯示屏、驅(qū)動(dòng)電路及模塊，掌握規(guī)模量產(chǎn)技術(shù)。建設(shè)2條以上PDP顯示屏及模塊生產(chǎn)線，鼓勵(lì)和引導(dǎo)相關(guān)設(shè)備和專用材料的開發(fā)和產(chǎn)業(yè)化。
3、OLED等新一代顯示器件及模塊
依托現(xiàn)有產(chǎn)業(yè)技術(shù)基礎(chǔ)，加大扶持力度，積極組織OLED等新一代顯示器件和模塊的基礎(chǔ)技術(shù)研發(fā)，加快產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程，培育上下游產(chǎn)業(yè)，進(jìn)一步提升產(chǎn)業(yè)競爭力。重點(diǎn)發(fā)展小尺寸手機(jī)主/副屏、PDA和MP3所用OLED顯示屏，基本滿足國內(nèi)市場需求。繼續(xù)大力支持LCOS等微顯背投顯示器件產(chǎn)業(yè)發(fā)展，積極跟蹤FED等前沿技術(shù)發(fā)展動(dòng)態(tài)。
4、CRT顯示器件
緊跟時(shí)代潮流，在保持傳統(tǒng)CRT顯示器件優(yōu)勢的同時(shí)，加強(qiáng)大屏幕、高清晰、平面化、薄型化、數(shù)字化等高端產(chǎn)品的開發(fā)及量產(chǎn)，積極推進(jìn)現(xiàn)有CRT企業(yè)產(chǎn)品技術(shù)升級和戰(zhàn)略轉(zhuǎn)型。重點(diǎn)發(fā)展數(shù)字高清晰度彩管及相關(guān)配套件，以及醫(yī)療、儀器、核輻射等方面使用的特種示波管。
（三）電子材料
1、半導(dǎo)體材料
未來五年，在硅基材料方面，在引進(jìn)基礎(chǔ)上消化吸收再創(chuàng)新，大力發(fā)展半導(dǎo)體級和太陽能級多晶硅材料，力爭掌握多晶硅的大規(guī)模生產(chǎn)技術(shù)；實(shí)現(xiàn)8-12英寸硅單晶及外延片的產(chǎn)業(yè)化，力爭國內(nèi)配套；積極發(fā)展6英寸及以上SiGe，6、8英寸SOI材料，4～6英寸GaAs和InP等化合物半導(dǎo)體材料，加快產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程。重點(diǎn)支持面向國內(nèi)6英寸及以上集成電路生產(chǎn)線所用的248nm及以下光刻膠、引線框架、金絲、超凈高純試劑，以及8英寸及以上濺射靶材等配套產(chǎn)品，力爭到2010年主要半導(dǎo)體材料國內(nèi)市場占有率達(dá)到30%。
2、新型顯示器件材料
“十一五”期間，緊緊抓住新型顯示器件產(chǎn)業(yè)高速發(fā)展的機(jī)遇，加大引進(jìn)消化吸收再創(chuàng)新的力度，鼓勵(lì)整機(jī)企業(yè)、顯示器件企業(yè)、材料企業(yè)加強(qiáng)合作，共同開展研發(fā)工作，盡快實(shí)現(xiàn)新型顯示器件材料產(chǎn)業(yè)化。在TFT-LCD液晶顯示器件關(guān)鍵材料方面，積極發(fā)展TFT-LCD 液晶材料、大尺寸基板玻璃、彩色濾光片、偏光板和背光模組等關(guān)鍵材料生產(chǎn)技術(shù)，形成批量生產(chǎn)。PDP關(guān)鍵材料方面，重點(diǎn)發(fā)展熒光粉、電極材料、介質(zhì)材料、障壁材料等。OLED關(guān)鍵材料方面，主要發(fā)展有機(jī)發(fā)光材料、隔離柱材料、Cr/ITO基板玻璃。
3、光電子材料
“十一五”期間，以高亮度發(fā)光材料為突破口，著重發(fā)展GaN、SiC等晶體及外延材料等，實(shí)現(xiàn)批量化生產(chǎn)，國內(nèi)市場占有率達(dá)50%以上。保持我國在激光晶體材料方面的生產(chǎn)和技術(shù)優(yōu)勢，進(jìn)一步加大研發(fā)力度，重點(diǎn)發(fā)展高功率激光晶體材料、LD泵浦激光晶體材料、可調(diào)諧激光晶體材料、新波長激光晶體材料、高效低閾值晶體材料。
4、磁性材料
保持規(guī)模優(yōu)勢，加大研發(fā)力度，提高產(chǎn)品附加值，重點(diǎn)發(fā)展粘結(jié)NdFeB永磁材料、納米復(fù)合永磁材料、低溫共燒材料和納米軟磁材料、巨磁致伸縮材料、磁致冷材料、電磁屏蔽材料、磁記錄材料、高檔永磁軟磁鐵氧體材料等市場前景好的材料。
5、電子功能陶瓷材料
繼續(xù)做大產(chǎn)業(yè)規(guī)模，增強(qiáng)引進(jìn)消化吸收再創(chuàng)新的能力，重點(diǎn)研發(fā)和生產(chǎn)高性能高可靠片式電容器陶瓷材料、低溫共燒陶瓷(LTCC)材料及封裝陶瓷材料、以及賤金屬電子漿料(Ni、cu)，提高產(chǎn)品技術(shù)水平，增強(qiáng)產(chǎn)業(yè)實(shí)力。順應(yīng)綠色化潮流，積極開展無鉛、無鎘等瓷料研究和生產(chǎn)，并開展納米基瓷料研究和生產(chǎn)。
6、覆銅板材料
繼續(xù)保持產(chǎn)業(yè)規(guī)模優(yōu)勢，積極調(diào)整產(chǎn)品結(jié)構(gòu)，重點(diǎn)發(fā)展環(huán)保型的高性能覆銅板、特殊功能覆銅板、高性能撓性覆銅板和基板材料等。
7、綠色電池材料
以電池產(chǎn)業(yè)規(guī)模優(yōu)勢帶動(dòng)材料發(fā)展，替代進(jìn)口，重點(diǎn)發(fā)展鋰離子電池高性能、低成本正負(fù)極材料，綠色電池高性能隔膜材料。
8、電子封裝材料
“十一五”期間，重點(diǎn)發(fā)展先進(jìn)封裝模塑料(EMC)、先進(jìn)的封裝復(fù)合材料、高精度引線框架材料、高性能聚合物封裝材料、壓電石英晶體封裝材料、高密度多層基板材料、精密陶瓷封裝材料、無鉛焊料、以及系統(tǒng)封裝(SIP)用先進(jìn)封裝材料等材料。
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