國家發(fā)展改革委辦公廳關于組織實施
新型電力電子器件產(chǎn)業(yè)化專項有關問題的通知
各省、（區(qū)、市）及新疆生產(chǎn)建設兵團發(fā)展改革委，國務院有關部門辦公廳，有關中央管理企業(yè)：
為貫徹落實“十一五”高技術產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃和信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃，全面落實科學發(fā)展觀，推進節(jié)能降耗，促進電力電子技術和產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，2007年我委將組織實施新型電力電子器件產(chǎn)業(yè)化專項。根據(jù)《中央預算內投資補助和貼息項目管理暫行辦法》（國家發(fā)展改革委第31號令），以及《國家高技術產(chǎn)業(yè)發(fā)展項目管理暫行辦法》（國家發(fā)展改革委第43號令），現(xiàn)將項目申報有關事項通知如下：
一、專項目標及支持重點
專項目標：提高新型電力電子器件技術和工藝水平，促進產(chǎn)業(yè)發(fā)展，滿足市場需求，以技術進步和產(chǎn)業(yè)升級推進節(jié)能降耗；推動產(chǎn)、學、研、用相結合，突破核心基礎器件發(fā)展的關鍵技術，完善電力電子產(chǎn)業(yè)鏈，促進具有自主知識產(chǎn)權的芯片和技術的推廣應用；培育骨干企業(yè)，增強企業(yè)自主創(chuàng)新能力。
支持重點：
(一)芯片產(chǎn)業(yè)化：絕緣柵雙極晶體管（IGBT）、 金屬氧化物半導體場效應管（MOSFET）、快恢復二極管（FRD）、功率集成電路（PIC）、門極換流晶閘管（IGCT）等產(chǎn)品的芯片設計、制造、封裝測試和模塊組裝；
（二）模塊產(chǎn)業(yè)化：電力電子器件系統(tǒng)集成模塊，智能功率模塊（IPM）和用戶專用功率模塊（ASPM）。
（三）應用裝置產(chǎn)業(yè)化：重點圍繞電機節(jié)能、照明節(jié)能、交通、電力、冶金等領域需求，支持應用具有自主知識產(chǎn)權芯片和技術的電力電子裝置。
（四）專用工藝設備和測試儀器產(chǎn)業(yè)化：電力電子器件生產(chǎn)專用工藝設備；專用檢測儀器。
二、具體要求
（一）項目主管部門應根據(jù)投資體制改革精神和《國家高技術產(chǎn)業(yè)發(fā)展項目管理暫行辦法》的有關規(guī)定，按照專項實施重點的要求，結合本單位、本地區(qū)實際情況，認真做好項目組織和備案工作，組織編寫項目資金申請報告并協(xié)調落實項目建設資金、環(huán)保、土地、規(guī)劃等相關建設條件。
（二）項目主管部門應對資金申請報告及相關附件（如銀行貸款承諾、自有資金證明等）進行認真核實，并負責對其真實性予以確認。
（三）項目承擔單位應實事求是制定建設方案，嚴格控制征地、新增建筑面積和投資規(guī)模。項目資金申請報告的具體編寫要求及所需附件內容參見附件一。
（四）請各項目主管部門于2007年11月30日前，將項目的資金申請報告和有關附件、項目簡介和基本情況表（見附件二）、項目的備案材料等一式三份（同時須附各項目簡介及所有項目匯總表的電子文本）報送我委高技術產(chǎn)業(yè)司。
（五）在項目主管部門申報的基礎上，我委將按照公正、公平的原則，組織專家評審，擇優(yōu)支持。
特此通知。
附件一：項目資金申請報告編制要點
附件二：項目及項目單位基本情況表
國家發(fā)展和改革委員會辦公廳
二〇〇七年十月五日
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