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四、主要任務(wù)和發(fā)展重點(diǎn)
（一）主要任務(wù)
1、圍繞戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)，提升配套能力
加強(qiáng)為戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)配套的電子專用設(shè)備儀器的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化，圍繞集成電路、太陽能光伏、中小尺寸平板顯示、下一代通信等重點(diǎn)領(lǐng)域所需電子專用設(shè)備儀器，大力推進(jìn)關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化，加快產(chǎn)品推廣應(yīng)用進(jìn)程。
2、加強(qiáng)基礎(chǔ)能力建設(shè)，提升產(chǎn)業(yè)整體水平
針對(duì)關(guān)鍵設(shè)備和儀器產(chǎn)業(yè)化水平低、可靠性差等問題，加強(qiáng)基礎(chǔ)工藝研究，提升重點(diǎn)設(shè)備和儀器質(zhì)量水平，積極發(fā)展電子專用設(shè)備制造的關(guān)聯(lián)產(chǎn)業(yè)和配套產(chǎn)業(yè)，加大技術(shù)改造投入，提高基礎(chǔ)零部件和配套產(chǎn)品的技術(shù)水平，不斷滿足電子信息制造業(yè)發(fā)展的需要。
3、以重大專項(xiàng)實(shí)施為契機(jī)，加強(qiáng)產(chǎn)業(yè)互動(dòng)
引導(dǎo)承擔(dān)重大專項(xiàng)的企業(yè)在攻克技術(shù)難關(guān)的同時(shí)延展技術(shù)應(yīng)用，推動(dòng)集成電路設(shè)備相關(guān)技術(shù)在半導(dǎo)體、顯示、光伏、元器件等領(lǐng)域的應(yīng)用，推動(dòng)通信網(wǎng)絡(luò)測(cè)試設(shè)備在通用測(cè)試儀器中的應(yīng)用。針對(duì)新興市場(chǎng)需求，加強(qiáng)產(chǎn)業(yè)鏈上下游聯(lián)動(dòng)，共同探索新工藝，聯(lián)合研發(fā)新型設(shè)備儀器。
（二）發(fā)展重點(diǎn)
1、集成電路生產(chǎn)設(shè)備
（1）8英寸0.13微米集成電路成套生產(chǎn)線設(shè)備產(chǎn)業(yè)化
在“十一五”攻關(guān)的基礎(chǔ)上，以設(shè)備生產(chǎn)能力的提升和產(chǎn)業(yè)化為重點(diǎn)。解決以光刻設(shè)備、刻蝕設(shè)備、離子注入設(shè)備、退火設(shè)備、單晶生長設(shè)備、薄膜生長設(shè)備、化學(xué)機(jī)械拋光設(shè)備和封裝測(cè)試設(shè)備為代表的8英寸0.13微米工藝的集成電路成套設(shè)備的自主研發(fā)，突破核心關(guān)鍵技術(shù)，在國內(nèi)建立成套生產(chǎn)線，提高半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)的配套性和整體水平。
（2）12英寸65納米-45納米集成電路關(guān)鍵設(shè)備產(chǎn)業(yè)化
光刻機(jī)：基于國產(chǎn)核心部件完成90納米光刻機(jī)的產(chǎn)品定型，形成小批量生產(chǎn)能力，實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品銷售。
刻蝕機(jī)：使國產(chǎn)65納米-45納米刻蝕機(jī)進(jìn)入主流生產(chǎn)線，實(shí)現(xiàn)刻蝕機(jī)的產(chǎn)業(yè)化；完成45納米以下柵刻蝕和介質(zhì)刻蝕產(chǎn)品研制，逐步完成關(guān)鍵技術(shù)攻關(guān)，實(shí)現(xiàn)設(shè)備生產(chǎn)線驗(yàn)證及商業(yè)設(shè)備定型設(shè)計(jì)。通過納米刻蝕機(jī)研制和工藝開發(fā)掌握高密度等離子刻蝕機(jī)制造的核心技術(shù)。
封測(cè)設(shè)備：開展先進(jìn)封裝圓片減薄設(shè)備、三維系統(tǒng)封裝通孔設(shè)備、高密度倒裝鍵合設(shè)備、新型晶片級(jí)封裝用設(shè)備等的研發(fā)。
其它設(shè)備：完成45納米薄膜設(shè)備、摻雜設(shè)備、互聯(lián)設(shè)備、平坦化設(shè)備、清洗設(shè)備、工藝檢測(cè)設(shè)備等整機(jī)產(chǎn)品的研發(fā)，在工程樣機(jī)設(shè)計(jì)及工藝開發(fā)的基礎(chǔ)上，結(jié)合可靠性、穩(wěn)定性等產(chǎn)業(yè)化指標(biāo)要求，改進(jìn)設(shè)計(jì)，制造中試樣機(jī)，通過大量工藝驗(yàn)證與優(yōu)化試驗(yàn)，確定商業(yè)機(jī)設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化銷售。
2、太陽能電池生產(chǎn)設(shè)備
（1）太陽能級(jí)多晶硅及單晶硅生長、切割、清洗設(shè)備產(chǎn)業(yè)化
多晶硅生長設(shè)備：突破熱場(chǎng)分控技術(shù)、定向凝固技術(shù)，實(shí)現(xiàn)投料量噸級(jí)及以上產(chǎn)品硅鑄錠爐的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化，并實(shí)現(xiàn)成品率達(dá)到75%以上。
單晶硅生長設(shè)備：突破單晶生長全自動(dòng)控制技術(shù)，實(shí)現(xiàn)8英寸（156毫米×156毫米硅片）以上尺寸全自動(dòng)單晶爐產(chǎn)業(yè)化。
切割設(shè)備：突破張力控制軟件技術(shù)、水冷卻氣密封技術(shù)、砂漿溫度閉環(huán)控制技術(shù)等關(guān)鍵技術(shù)，保證能滿足太陽能硅片大生產(chǎn)切割需求，切割硅片尺寸8英寸，切割精度優(yōu)于10微米、厚度在180微米以下的太陽能硅片多線切割機(jī)產(chǎn)業(yè)化。
清洗設(shè)備：突破槽體溫度控制技術(shù)、溶液循環(huán)技術(shù)、大行程直線傳輸技術(shù)等關(guān)鍵技術(shù)，提升產(chǎn)品質(zhì)量的一致性，實(shí)現(xiàn)碎片率小于0.3‰的太陽能晶硅清洗制絨設(shè)備產(chǎn)業(yè)化，促進(jìn)晶硅太陽能電池片轉(zhuǎn)化效率提升。
（2）全自動(dòng)晶硅太陽能電池片生產(chǎn)線設(shè)備研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化
重點(diǎn)發(fā)展擴(kuò)散爐、等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積設(shè)備（PECVD）等關(guān)鍵設(shè)備，突破單機(jī)自動(dòng)化及生產(chǎn)線設(shè)備之間物流傳輸自動(dòng)化技術(shù)，實(shí)現(xiàn)整線自動(dòng)化集成。
重點(diǎn)突破自動(dòng)圖像對(duì)準(zhǔn)技術(shù)、柔性傳輸技術(shù)、高精度印刷技術(shù)、高速高精度對(duì)準(zhǔn)技術(shù)、測(cè)試分選技術(shù)、智能化控制及系統(tǒng)集成技術(shù)，進(jìn)一步提高電池片電極印刷、烘干、測(cè)試分選速度，實(shí)現(xiàn)產(chǎn)能達(dá)到1440片/小時(shí)以上、碎片率低于0.5%的全自動(dòng)太陽能印刷線設(shè)備產(chǎn)業(yè)化。
（3）薄膜太陽能生產(chǎn)設(shè)備
硅基類薄膜太陽能電池設(shè)備：重點(diǎn)提高大面積沉積的均勻性，進(jìn)一步提升設(shè)備運(yùn)行的穩(wěn)定性，適度提升自動(dòng)化程度，提高生產(chǎn)效率。
碲化鎘（CdTe）薄膜太陽能電池設(shè)備：突破真空鍍膜設(shè)備技術(shù)難點(diǎn)，研發(fā)新型升華源的結(jié)構(gòu)，進(jìn)一步提高溫度均勻性，開發(fā)在高溫、真空環(huán)境下的傳動(dòng)系統(tǒng)。
銅銦鎵硒（CIGS）薄膜太陽能電池設(shè)備：突破真空鍍膜設(shè)備、材料濺射、硒化技術(shù)等技術(shù)難點(diǎn)，實(shí)現(xiàn)元素配比的精確控制，保證大面積沉積的均勻性，提高生產(chǎn)效率，降低制造成本。實(shí)現(xiàn)0.7平方米以上、電池轉(zhuǎn)化效率達(dá)14%以上的CIGS整線設(shè)備集成。
3、新型元器件生產(chǎn)設(shè)備
（1）中小尺寸有機(jī)發(fā)光顯示（OLED）生產(chǎn)設(shè)備研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化
解決無源有機(jī)發(fā)光顯示（PM-OLED）用有機(jī)蒸鍍和封裝等關(guān)鍵設(shè)備大面積化和低成本化等問題，重點(diǎn)發(fā)展蒸發(fā)源、掩模對(duì)位、玻璃和掩模板固定裝置等設(shè)備，進(jìn)一步提高生產(chǎn)效率。
開展中小尺寸有源有機(jī)發(fā)光顯示（AM-OLED）產(chǎn)品生產(chǎn)工藝和制造設(shè)備研發(fā)，突破濺鍍臺(tái)、PECVD系統(tǒng)、熱蒸發(fā)系統(tǒng)等AM-OLED用的薄膜晶體管（TFT）薄膜沉積裝備；涂膠機(jī)、曝光機(jī)、干濕法刻蝕機(jī)等AM-OLED用的TFT圖形制作裝備；退火爐、退火氣體管道、激光退火設(shè)備等AM-OLED用TFT退火裝備；TFT電學(xué)測(cè)試設(shè)備、OLED光學(xué)測(cè)試設(shè)備等AM-OLED用檢測(cè)裝備；AM-OLED用缺陷檢測(cè)修補(bǔ)裝備，如激光修補(bǔ)機(jī)等。
（2）高儲(chǔ)能鋰離子電池生產(chǎn)設(shè)備研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化
突破電池漿料精密攪拌技術(shù)、電極極片精密涂敷技術(shù)、極片精密軋膜技術(shù)及快速極片分切技術(shù)，實(shí)現(xiàn)400升（裝量）漿料攪拌設(shè)備、650毫米（幅寬）擠出式涂布設(shè)備、Φ800（軋輥直徑800毫米）強(qiáng)力軋膜設(shè)備、極片分切設(shè)備（分切速度30-35米/分鐘）研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化，實(shí)現(xiàn)整線設(shè)備集成。
（3）其他元器件生產(chǎn)設(shè)備研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化
重點(diǎn)發(fā)展高性能永磁元件生產(chǎn)設(shè)備、高亮度LED生產(chǎn)設(shè)備、金屬化超薄膜電力電容器生產(chǎn)設(shè)備、超小型片式元件生產(chǎn)設(shè)備、高密度印制電路板生產(chǎn)設(shè)備、高精密自動(dòng)印刷機(jī)高速、多功能自動(dòng)貼片機(jī)無鉛再流焊機(jī)、高精度光學(xué)檢測(cè)設(shè)備。
4、通信與網(wǎng)絡(luò)測(cè)試儀器
滿足時(shí)分雙工長期演進(jìn)技術(shù)（TD-LTE）網(wǎng)絡(luò)測(cè)試的多模終端樣機(jī)的研發(fā)，開發(fā)TD-LTE路測(cè)分析儀并達(dá)到商用化要求，配合TD-LTE技術(shù)網(wǎng)絡(luò)試驗(yàn)和規(guī)模商用。
針對(duì)TD-LTE基站和終端特點(diǎn)及相關(guān)新技術(shù)和實(shí)際測(cè)試需求，開發(fā)模塊化的TD-LTE基站和終端射頻測(cè)試系統(tǒng)，推動(dòng)基站和終端性能進(jìn)一步提高。
針對(duì)長期演進(jìn)技術(shù)（LTE）網(wǎng)絡(luò)接口進(jìn)行協(xié)議一致性測(cè)試的需求，研究更方便、更簡(jiǎn)潔的測(cè)試工具對(duì)LTE的核心網(wǎng)絡(luò)設(shè)備和無線網(wǎng)絡(luò)設(shè)備進(jìn)行測(cè)試，推動(dòng)設(shè)備接口實(shí)現(xiàn)一致性。
針對(duì)TD-LTE終端一致性測(cè)試開發(fā)擴(kuò)展測(cè)試集儀器；針對(duì)TD-LTE-Advanced終端一致性測(cè)試開發(fā)終端協(xié)議仿真測(cè)試儀。
其他通信方式以及網(wǎng)絡(luò)測(cè)試所需的新一代通信測(cè)試儀器、計(jì)算機(jī)網(wǎng)絡(luò)測(cè)試儀器、射頻識(shí)別綜合測(cè)試儀器、各類讀卡器、近距離無線通信綜合測(cè)試儀器。
5、半導(dǎo)體和集成電路測(cè)試儀器
滿足對(duì)多種功能半導(dǎo)體和集成電路進(jìn)行測(cè)試需求的射頻與高速數(shù)?；旌闲盘?hào)集成電路測(cè)試系統(tǒng)；存儲(chǔ)器等專項(xiàng)測(cè)試系統(tǒng)；半導(dǎo)體和集成電路在線測(cè)試系統(tǒng)、測(cè)試開發(fā)系統(tǒng)。
6、數(shù)字電視測(cè)試儀器
滿足數(shù)字電視和數(shù)字音視頻測(cè)試需求的數(shù)字電視信號(hào)源、數(shù)字音視頻測(cè)試儀、碼流監(jiān)測(cè)分析儀、圖像質(zhì)量分析儀、數(shù)字電視上網(wǎng)融合分析儀、網(wǎng)絡(luò)質(zhì)量和安全監(jiān)測(cè)儀、數(shù)字電視地面信號(hào)覆蓋監(jiān)測(cè)系統(tǒng)。
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