日本大阪大學教授竹田精治和河野日出夫等制作納米級硅球鏈獲得成功。
據(jù)河野日出夫提供的資料說，這種硅球鏈是制作在氧化硅上的一種半導體。采用的方法是，把在真空里鍍金的硅基板放入石英試管中，再密封成為真空狀態(tài)，當加熱到1000攝氏度時，金的微粒逐漸吸附硅分子，硅就在基板上自我成長為針狀晶體，形成納米線和納米球，硅晶球的直徑僅有2～3納米。半導體的晶球和絕緣的非晶質氧化硅構成的硅球鏈結構猶如晶體管，呈周期性的排列，因而有可能用來制作納米尺寸的發(fā)光體及單電子的晶體管。
為提高納米球鏈的生長效率，可在試料里添加微量鉛，在加熱到800攝氏度時，把試料從試管中取出，然后再置入試管內加以真空密封，以1200度的高溫加熱數(shù)小時。
這種納米級的材料制作無須使用一般的分子外延生長裝置，方法比較簡單，所以可大量生產。
新華社 2001年8月13日
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