用于芯片間光互連的新型光電探測(cè)器——斜面受光探測(cè)器
光互連是解決芯片間高速互連的有效途徑，但是制約芯片間光互連廣泛應(yīng)用的主要因素之一是技術(shù)成本太高。中國(guó)科學(xué)院微電子研究所的李志華博士、申華軍博士、李寶霞博士、楊成樾工程師和萬里兮研究員在《2008科學(xué)發(fā)展報(bào)告》中發(fā)表了一篇題為“用于芯片間光互連的新型光電探測(cè)器——斜面受光探測(cè)器”的文章。
文章介紹到，為了簡(jiǎn)化光互連結(jié)構(gòu)，降低成本，促進(jìn)芯片間光互連的實(shí)用化，中國(guó)科學(xué)院微電子研究所萬里兮研究員領(lǐng)導(dǎo)的研究組與美國(guó)喬治亞理工學(xué)院合作研制了一種新型的光電探測(cè)器——斜面受光探測(cè)器(edge-view photodetector, EVPD)。EVPD的受光面設(shè)計(jì)在一個(gè)臺(tái)階結(jié)構(gòu)的斜面上，從平面光波導(dǎo)傳輸?shù)墓饪芍苯优cEVPD受光面進(jìn)行耦合，而無需像傳統(tǒng)的光學(xué)耦合那樣轉(zhuǎn)折90o。所以，EVPD與波導(dǎo)的耦合可省去反射鏡和微透鏡的使用，也就免去了相應(yīng)的高成本的光學(xué)對(duì)準(zhǔn)工序。EVPD原型的推出無疑對(duì)簡(jiǎn)化芯片間光互連、降低成本具有重要意義。
文章展望了此領(lǐng)域的發(fā)展前景，首個(gè)EVPD的性能尚不能滿足高性能光互連的要求，如《光電子譜》（Photonics Spectra）雜志中介紹：需要對(duì)材料的外延生長(zhǎng)和器件工藝進(jìn)行優(yōu)化來提高EVPD的性能。目前中國(guó)科學(xué)院微電子研究所正在針對(duì)EVPD投入資源進(jìn)行研究，EEL-光波導(dǎo)-EVPD的光互連結(jié)構(gòu)十分簡(jiǎn)單，成本也將大大低于現(xiàn)有的芯片間光互連系統(tǒng)，研究人員希望三至五年內(nèi)實(shí)現(xiàn)這一光互連方案。（摘自中國(guó)科學(xué)院“科學(xué)發(fā)展報(bào)告”課題組撰寫的《2008科學(xué)發(fā)展報(bào)告》）
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